На линиях обработки wafer размером 200 мм процесс сушки после очистки не является просто временем простоя. Именно в этой стадии поверхностное натяжение, остатки растворителей и микроудаления определяют, будет ли следующий слой фоторезиста нанесен правильно или же процесс литографии будет сорван.
Что на самом деле имеет значение Модуль сушки wafer размером 200 мм разработан с учетом стабильности температурного режима. В зоне нагрева температура сохраняется на уровне ±0,1°C по всей площади wafer. Это обеспечивает стабильную работу фоторезиста. Камера и каналы подачи газов соответствуют требованиям чистых помещений класса 1–100. Система спроектирована таким образом, чтобы при стабильной работе не возникало никаких проблем с частицами. Мы измеряем эффективность системы так: одинаковая температура, одинаковая скорость нагрева, цикл за циклом.
Почему система ведет себя именно так На практике такой контроль температуры снижает количество дефектов, связанных с водными пятнами, что в свою очередь снижает уровень брака. Более строгий контроль температуры позволяет сократить время сушки без ущерба для качества продукции. В результате уменьшается количество браков, а wafer становится достаточно сухим для последующих этапов обработки, без риска загрязнения.
Что необходимо учитывать при планировании Модуль может быть интегрирован в существующее оборудование для обработки wafer размером 200 мм. Однако системы удаления выхлопных газов и подачи газа должны соответствовать требованиям к давлению и потоку газа на производстве. Потребуется время на настройку параметров сушки под конкретный тип фоторезиста. После настройки система будет работать стабильно, но первоначальная настройка занимает время. Необходимо запланировать это заранее, чтобы обеспечить стабильное качество продукции.