Berhenti menunggu penggunaan pemanas konvensional: Realiti penggunaan pemanas jenis IR vakum
Jika anda masih bergantung pada sistem pemanasan udara panas untuk proses pemprosesan semikonduktor, sebenarnya anda sedang berperang melawan masa yang tidak menguntungkan bagi anda.
Masalahnya adalah, dalam keadaan vakum, tiada udara yang boleh digunakan untuk mengalirkan haba. Anda tidak boleh “meniup” haba ke atas wafer tersebut. Inilah sebabnya mengapa pemanas jenis IR vakum diperlukan. Daripada cuba memanaskan seluruh bilik, pemanas IR menggunakan radiasi elektromagnetik untuk memanaskan wafer secara langsung.
Ini merupakan cara yang sama sekali berbeza untuk memanaskan sesuatu objek.
Kos tersembunyi daripada menunggu
Kita semua pernah menghadapi situasi ini. Anda menghidupkan sistem pemanasan udara panas, dan kemudian… anda perlu menunggu. Anda perlu memanaskan udara terlebih dahulu, kemudian dinding bilik, dan akhirnya permukaan wafer itu sendiri. Proses ini sangat lambat.
Pemanas IR tidak melakukan hal yang sama. Ia dapat memanaskan wafer dengan cepat, hanya dalam masa beberapa milisaat sahaja. Bayangkan betapa besar manfaatnya untuk kerja harian anda. Jika anda dapat mengurangkan masa yang diperlukan untuk memanaskan wafer daripada 10 minit kepada 30 saat sahaja, produktiviti anda akan meningkat. Anda dapat menyelesaikan lebih banyak kerja setiap jam, tanpa perlu membeli peralatan tambahan atau mencari ruang yang lebih luas di makmal yang sudah sesak.
Pemilihan peralatan yang tepat
Sudah tentu, anda tidak boleh menggunakan pemanas biasa dalam keadaan vakum. Anda memerlukan peralatan yang sesuai. Kita biasanya menggunakan kapsul kuarsa dan penutup yang berkualiti tinggi. Mengapa? Kerana kebocoran unsur-unsur tidak diingini boleh merosakkan wafer tersebut.
Namun, ada satu masalah lagi. Lampu IR berkuasa tinggi memang cepat, tetapi ia juga menghasilkan haba yang sangat intensif. Jika permukaan wafer tidak mampu menahan haba tersebut, ia akan rosak. Untuk mengelakkan ini, anda memerlukan kawalan PID yang efektif untuk mengawal kuasa pemanasan agar suhu tidak melebihi had yang ditetapkan.
Keseimbangan antara kecepatan dan kualiti
IR bukanlah penyelesaian yang sempurna untuk setiap situasi. Ia hanya berkesan jika permukaan wafer rata. Jika permukaan wafer mempunyai bentuk yang rumit atau lubang-lubang yang dalam, cahaya IR tidak akan sampai ke setiap sudut. Akibatnya, ada bahagian wafer yang terlalu panas, sementara bahagian lain masih sejuk. Anda perlu meluangkan masa untuk menentukan lokasi pemanas atau menggunakan reflektor untuk mengarahkan haba ke kawasan-kawasan yang kurang dipanaskan.
Pemanasan udara mungkin lebih perlahan, tetapi ia lebih mudah dikawal. Udara dapat memanaskan permukaan wafer dengan lebih baik. Namun, jika anda bekerja dengan permukaan wafer yang rata dan memerlukan kelajuan yang tinggi, maka IR merupakan pilihan yang terbaik.